Порошки карбида кремния

В ПФ "КВЕТ" можно купить порошки карбида кремния в Екатеринбурге по минимальным ценам и со своевременной доставкой товаров. Мы предлагаем полный набор услуг по поставке и обработке металлопродукции. Гибкая система скидок. Вы приобретаете качественный товар по приемлемой цене и получаете его в оговоренные сроки.
Чтобы уточнить информацию по поводу заказа продукции, позвоните по телефону отдела продаж в Екатеринбурге - +7 (343) 364-42-03.
Также вы можете написать нам на почту - . Реализуем порошки карбида кремния в Екатеринбурге из наличия со склада и под заказ.
Наш адрес: г. Екатеринбург, ул. Мельникова, д. 27, офис 8-5.

Фильтр продукции
Отменить выбор
Отменить выбор
Вид металла ГОСТ, ОСТ, ТУ Марка Цена Заказать
Порошок карбида кремния черного SiC ГОСТ 26327-84 Узнать цену
ГОСТы
Марки

Порошок карбида кремния

Карбид кремния (SiC) или карборунд представляет собой бинарную связь кремния и углерода. Неорганическое вещество встречается в природе в виде минерала муассанита. Чистое стехиометрическое вещество – это бесцветные кристаллы, похожие на алмазы. Техническая продукция окрашена в зеленые, желтые, серые, черные и белые тона. Цвет вещества зависит от сырья, технологии, вида и количества примесей, в частности, от наличия поваренной соли.

Применение

Карбид кремния служит основой многих функциональных и конструкционных материалов, применяемых во все сферах человеческой деятельности. В металлургической области SiC используется в качестве огнеупорных элементов, в машиностроительной – для футеровки печей, в электротехнике из SiC выпускают грозоразрядники, нагреватели высокотемпературных установок, в химической –материал применяется для перекачки кислот и жидкостей, представляющих коррозионную опасность. Это превосходный абразив, участвующий в процесс резания, шлифовки, хонингования материалов и точки инструментов.

Монокристаллы SiC пользуются спросом при выпуске радиационно стойких светодиодов, силовых полупроводниковых аппаратов, терморезисторов, туннельных счетчиков, полевых транзисторов. Поликристаллический порошок используется в волновых поглотителях и служит основой при создании солнечных батарей. SiC – это перспективное вещество, имеющее большое будущее в высокочастотной электронике.

 

Получение карбида кремния

Производство синтетического порошка осуществляется в соответствии с ТУ 1915-036-23042805-2010.
В современных условиях Silicon carbide выплавляют в электрических установках из кварцевого песка, антрацита или нефтяного кокса при температурном режиме в 1800-2300оС. В качестве добавки, улучшающей газопроницаемость состава, вводятся опилки. Выращивание монокристаллов практикуется из газовой фазы или из растворов в графитовых тиглях, в которых температура достигает +2500-2600оС.

Технические сведения

Ключевые характеристики карбида кремния представлены следующими показателями:

  • температурой плавления, достигающей +2730;
  • молярной массой в 40,11 г/моль,
  • микротвердостью до 3600 кгс/мм2
  • твердостью по МООСу – 9,5;
  • плотностью (3,21 г/см³).

Отличительными свойствами карбида кремния служит тугоплавкость, твердость, сравнимая с показателем нитрида бора и алмаза, радиационной и химической стойкостью, устойчивостью к окислению, отсутствием реакции с кислотами, в том числе и с плавиковой. В линейном ряду карбидов кремния есть спечённый материал SSiC, обладающий более высокими возможностями. Микросхемы из SSiC более эффективны, они продлевают срок службы батарей и существенно экономят энергетические затраты.